ULTRARAM разработка обещава универсална памет

Британски учени са на път да създадат мечтаната универсална памет(снимка: CC0 Public Domain)   23 Януари, 09:55     0  

Съчетава скоростта на DRAM и енергийната независимост на NAND

Британски учени са на път да създадат мечтаната универсална памет(снимка: CC0 Public Domain)

Изобретение на физици от университета Ланкастър (Великобритания) обещава да реши проблема с липсата на универсалната памет – т.е. памет, която да е достатъчно бърза и същевременно енергийнонезависима.

През юни миналата година сп. Nature публикува статия за научна разработка на нов тип памет, която съчетана предимствата на DRAM в скоростта и на NAND в енергийната независимост. Описаната клетка памет използва квантовите свойства на електрона – поради вълновия му характер, той може да се тунелира през забранена бариера. За целта електронът трябва да има определено количество „резонансна” енергия.

Когато към клетката се приложи малък потенциал – до 2,6 V, електроните започват да тунелират през трислойна бариера от индиев арсенид и алуминиеви антимонидни материали (InAs/AlSb). При нормални условия тази бариера предотвратява преминаването на електроните и ги задържа в клетката, без подаване на енергия, което позволява съхраняване на стойността, записана в клетката, за дълго време.

В януарския брой на сп. „IEEE Transaction on Electron Devices” изследователите разкриват, че са успели да създадат надеждни схеми за четене на данни от такива клетки и да комбинират клетките в масиви памет. Физиците откриват, че „рязкостта на преходните бариери” създава предпоставки за създаване на много плътни масиви от клетки.

В процеса на симулация за 20-нм технология става ясно, че енергийната ефективност на предлаганите клетки памет може да бъде 100 пъти по-добра от тази на DRAM. В същото време скоростта на новата , както я наричат ​​учените, е сравнима със скоростта на DRAM – в рамките на 10 наносекунди.

В момента учените се занимават с проектиране на ULTRARAM масиви и прехвърляне на решението върху силиций. Започнал е и етапът на проектиране на логически възли за запис и четене на данни от клетките. Учените са регистрирали и запазена марка, за да обозначат новата памет.

Източник: technews.bg

Технологии  
подобни  

Създават транзистор с вградена FeRAM памет

За целта учените използват свойствата на алфа-индиев селенид


  29 Декември, 11:02      0  

В памет на Ламбо: Минута мълчание преди всеки футболен мач

Всички срещи в професионалния футбол у нас през уикенда ще започнат с

В памет на Ламбо: Минута мълчание преди мачовете у нас

Всички срещи в професионалния футбол у нас през уикенда ще започнат с

Ученик запомни наизуст цифра с 13 202 знака

Той създал своя методика за запомняне – всяко число ученикът асоциирал с различни супергерои



от седмицата

видео

Удивително малки апартаменти


Photo Smart Vratsa
последни

вицове
Майна в зоомагазин: -Да въ питам, колко е пипигала ? Продавача: -1000 лева -Въъъъй мноо скъпо, ва ! Папагала: -Какво скъпо, бе ?! Аз говоря български по-добре от тебе !още вицове

©2015-2020 Vratsa Guide.